Giới thiệu
2SK2996 (K2996) là dòng Mosfet kênh N (N-Channel) hiệu suất cao của Toshiba, được thiết kế để xử lý điện áp cực cao trong các ứng dụng chuyển mạch công suất. Với khả năng chịu áp lên tới 600V và dòng tải liên tục 10A, đây là linh kiện lý tưởng cho các bộ nguồn xung (SMPS) dân dụng và công nghiệp, mạch điều khiển đèn cao áp và bộ nghịch lưu. Gói vỏ TO-220F (Full Mold) mang lại sự an toàn tối đa nhờ lớp vỏ nhựa cách điện hoàn toàn, giúp đơn giản hóa việc thiết kế tản nhiệt.
Đặc điểm nổi bật
- Điện áp đánh thủng cao (600V): Cho phép linh kiện hoạt động bền bỉ trong các mạch nguồn AC 220V sau chỉnh lưu, bảo vệ hệ thống khỏi các xung áp ngược và nhiễu lưới điện một cách hiệu quả.
- Vỏ nhựa TO-220F cách điện: Mặt lưng nhựa giúp cách điện 100% với cánh tản nhiệt nhôm. Bạn có thể lắp đặt trực tiếp mà không cần miếng lót mica hay sơ-mi nhựa, giảm thiểu sai sót kỹ thuật và rủi ro chạm chập.
- Dòng tải 10A mạnh mẽ: Đủ sức đáp ứng cho các bộ nguồn công suất trung bình từ 200W – 500W, các mạch Driver LED công suất lớn và thiết bị điện tử gia dụng.
- Nội trở thấp (Rds-on): Giúp giảm thiểu tổn hao công suất dưới dạng nhiệt khi Mosfet ở trạng thái dẫn, đảm bảo thiết bị vận hành mát hơn và đạt hiệu suất năng lượng cao hơn.
- Tốc độ chuyển mạch nhanh: Đặc tính này cực kỳ quan trọng đối với các mạch băm xung (PWM), giúp giảm tổn hao đóng cắt và tăng độ tin cậy cho toàn bộ hệ thống nguồn.


K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
IC điều khiển động cơ FAN7388MX FAN7388 7388 SOP-20 hàng ON
IKCM15L60GD Module công suất IPM
2SK2417 K2417 TO220F 8A 250V
Điện trở vạch điện trở cắm 2W 1M 5% (10c)
6MBP20RTA060-01 IGBT Fuji 20A 600V
K2917 2SK2917 TO-3P 18A 500V
Điện trở vạch 2W 4M7 5% (10c)
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.