K2611 2SK2611 9A 900V TO-3P

Giới thiệu

2SK2611 (K2611) là dòng Mosfet kênh N (N-Channel) công suất cao, được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng yêu cầu điện áp đánh thủng cực lớn và độ tin cậy cao. Với khả năng chịu áp lên đến 900V và dòng tải 9A, linh kiện này thường được sử dụng trong các bộ nguồn xung (SMPS) công nghiệp, mạch điều khiển đèn cao áp và các thiết bị chuyển đổi năng lượng hoạt động ở lưới điện xoay chiều có biến động mạnh. Gói vỏ TO-3P (TO-247) giúp Mosfet có khả năng tản nhiệt vượt trội, đảm bảo hiệu suất ổn định dưới tải nặng.

Đặc điểm nổi bật

• Điện áp đánh thủng siêu cao (900V): Cho phép linh kiện vận hành an toàn trong các môi trường điện áp cao, giúp bảo vệ hệ thống trước các xung áp ngược và nhiễu từ lưới điện một cách hiệu quả.
• Dòng tải 9A bền bỉ: Mức dòng điện này đủ mạnh để đáp ứng hầu hết các bộ nguồn công suất trung bình và lớn trong các thiết bị viễn thông và máy móc công nghiệp.
• Nội trở tối ưu (Low Rds-on): Thiết kế cấu trúc màng phẳng giúp giảm thiểu tổn hao công suất trong quá trình dẫn điện, giảm nhiệt lượng phát sinh và tăng tuổi thọ cho linh kiện.
• Tốc độ chuyển mạch cực nhanh: Đặc tính này giúp linh kiện đáp ứng tốt các mạch băm xung (PWM) tần số cao, giúp hệ thống hoạt động êm ái và tiết kiệm điện năng hơn.
• Gói vỏ TO-3P chuyên dụng: Kích thước vỏ lớn với diện tích tiếp xúc tản nhiệt rộng giúp việc truyền nhiệt từ chip ra bên ngoài đạt hiệu quả cao nhất, lý tưởng cho các thiết kế hoạt động liên tục 24/7.