Giới thiệu
K2362 / 2SK2362 là transistor MOSFET công suất cao kênh N, được thiết kế cho các ứng dụng điện áp cao và dòng lớn. Linh kiện thường sử dụng trong mạch nguồn xung, inverter, mạch công suất và thiết bị điện công nghiệp. Với điện áp chịu đựng lên đến 500V và dòng 10A, 2SK2362 đáp ứng tốt yêu cầu hoạt động ổn định và bền bỉ.
Đặc điểm nổi bật
- MOSFET kênh N công suất cao
- Điện áp chịu đựng Drain-Source lên đến 500V
- Dòng dẫn tối đa 10A, phù hợp mạch công suất
- Tổn hao thấp, hiệu suất chuyển mạch tốt
- Đóng gói TO-3P, tản nhiệt hiệu quả
- Ứng dụng trong nguồn xung, inverter, mạch công nghiệp


TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
Điện trở vạch 2W 240K 5% (10c)
2SK996 K996 TO220F N Mosfet 4A 600V
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
2SK2638 K2638 TO220F 10A 450V
K2225 2SK2225 N-Mosfet 2A 1500V TO-3P
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
K3148 2SK3148 TO220F N Mosfet
K3326 2SK3326 TO-220F 10A 500V
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
Điện trở vạch 1W 1K6 5% (10c)
FSBB30CH60D Module công suất IPM 30A 600V
Điện trở vạch 2W 4M7 5% (10c)
LM393 IC Khuếch đại thuật toán SOP-8
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
K2952 2SK2952 TO220F 8.5A 400V
K3115 2SK3115 TO-220F 6A 600V
GIPS20K60 STGIPS20K60 20A 600V
K3067 2SK3067 TO-220F 2A 600V
2SK2417 K2417 TO220F 8A 250V
TNY287PG IC nguồn xung DIP-7
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
IKCM15L60GD Module công suất IPM 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.