Giới thiệu về 2SJ601
2SJ601-Z là một thành phần công suất cao được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng yêu cầu khả năng chịu đựng dòng điện lớn và điện áp tương đối thấp. Đây là một MOSFET với khả năng chịu đựng điện áp lên đến 60V và dòng điện tối đa 36A. 2SJ601-Z là một lựa chọn tốt cho các ứng dụng công suất cao yêu cầu điều khiển dòng điện lớn và hoạt động ở điện áp thấp đến trung bình, cung cấp hiệu suất tốt và độ tin cậy cao trong các ứng dụng yêu cầu dòng điện lớn.


TNY264GN IC nguồn xung DIP-7
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
K3004 2SK3004 TO220F N Mosfet 250V
TNY265PN IC nguồn xung DIP-7
K2225 2SK2225 N-Mosfet 2A 1500V TO-3P
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
74VHC373FT 74HC373D 74HC373F TSSOP
TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
LM393 IC Khuếch đại thuật toán SOP-8
74HC4053A TSSop16
K2507 2SK2507 TO220F N Mosfet 25A 40v 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.