Giới thiệu về 2SJ601
2SJ601-Z là một thành phần công suất cao được thiết kế để hoạt động trong các ứng dụng yêu cầu khả năng chịu đựng dòng điện lớn và điện áp tương đối thấp. Đây là một MOSFET với khả năng chịu đựng điện áp lên đến 60V và dòng điện tối đa 36A. 2SJ601-Z là một lựa chọn tốt cho các ứng dụng công suất cao yêu cầu điều khiển dòng điện lớn và hoạt động ở điện áp thấp đến trung bình, cung cấp hiệu suất tốt và độ tin cậy cao trong các ứng dụng yêu cầu dòng điện lớn.


K3067 2SK3067 TO220F
K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V
2SK2462 K2462 TO220F N Mosfet 15A 100V
TNY275PN IC nguồn xung DIP-7
2SK3108 K3108 TO220F N Mosfet
74HC00PW (74VHC00) TSSOP14
TOP245YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
74VHC86FT 74HC86PW TTSSOP14
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
74HC14 74LV14APWR TSSop14-4.4
TOP244YN IC nguồn xung hãng SI TO220
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
TNY287PG IC nguồn xung DIP-7
25Q80BVSIG W25Q80BVSIG Winbond IC nhớ 8M-BIT SOP-8
K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
mã hóa encode moto trục chính máy may JUKI DDL8000A
K2996 2SK2996 TO220F N Mosfet 10A 600V
K3177 2SK3177 TO220F N Mosfet 15A 200V
K2952 2SK2952 TO220F N Mosfet 8.5A 400V
TNY290PG IC nguồn xung DIP-7
TNY265PN IC nguồn xung DIP-7
2SK996 K996 TO220F N Mosfet 4A 600V
K2507 2SK2507 TO220F N Mosfet 25A 40v
Bo màn hình QIXING cho model 1561;1562;1564
K851 2SK851 TO3P Mosfet 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.