IRF640 IRF640N Mosfet Kênh-N 18A 200V

Giới thiệu về IRF640NS

IRF640NS thuộc HEXFET® Power MOSFET là thế hệ thứ năm từ International Rectifier sử dụng các kỹ thuật xử lý tiên tiến để đạt được diện tích persilicon có điện trở cực thấp. Lợi ích này, kết hợp với tốc độ chuyển mạch nhanh và thiết kế thiết bị chắc chắn mà HEXFET PowerMOSFET nổi tiếng, cung cấp cho nhà thiết kế một thiết bị cực kỳ hiệu quả và đáng tin cậy để sử dụng trong nhiều ứng dụng khác nhau. D2Pak là một gói nguồn gắn trên bề mặt có khả năng chứa các kích thước khuôn lên đến HEX-4. Nó cung cấp khả năng công suất cao nhất và điện trở thấp nhất có thể trong bất kỳ gói gắn trên bề mặt nào hiện có. D2Pak phù hợp với các ứng dụng dòng điện cao vì điện trở kết nối bên trong thấp và có thể tản ra tới 2,0W trong ứng dụng gắn trên bề mặt thông thường. Phiên bản xuyên lỗ (IRF640NL) có sẵn cho ứng dụng có cấu hình thấp.