IRF530N, IRF530 17A/100V TO-220

Giới thiệu

IRF530N là dòng Mosfet kênh N (N-Channel) công suất phổ biến, được sản xuất theo công nghệ HEXFET® tiên tiến của International Rectifier. Với khả năng chịu dòng điện liên tục 17A và điện áp đánh thủng 100V, linh kiện này được tối ưu hóa để mang lại hiệu quả chuyển mạch cực nhanh và nội trở thấp. Thiết kế gói vỏ TO-220 tiêu chuẩn không chỉ giúp việc lắp đặt trở nên dễ dàng mà còn hỗ trợ tản nhiệt tuyệt vời, khiến IRF530N trở thành lựa chọn hàng đầu cho các mạch điều khiển nguồn và khuếch đại tín hiệu.

Đặc điểm nổi bật

• Hiệu suất chuyển mạch vượt trội: Nhờ công nghệ màng mỏng hiện đại, IRF530N có thời gian đáp ứng cực ngắn, giúp giảm thiểu tổn hao công suất trong các ứng dụng băm xung tần số cao.
• Thông số hoạt động lý tưởng: Với điện áp VDS 100V và dòng ID 17A, linh kiện này hoạt động cực kỳ ổn định trong các hệ thống điện áp trung bình như mạch đèn LED công suất, bộ sạc pin và mạch UPS.
• Nội trở thấp (Rds-on): Giúp linh kiện tỏa nhiệt ít hơn khi dẫn dòng, từ đó tăng cường hiệu suất tổng thể của hệ thống và tiết kiệm năng lượng.
• Thiết kế TO-220 bền bỉ: Gói vỏ kim loại mặt sau giúp tiếp xúc tối đa với tấm tản nhiệt, đảm bảo linh kiện không bị quá nhiệt khi làm việc ở cường độ cao trong thời gian dài.
• Ứng dụng đa năng: Được sử dụng rộng rãi trong các bộ khuếch đại âm thanh Class D, mạch điều khiển động cơ DC, bộ chuyển đổi DC-DC và các mạch bảo vệ tải.