Giới thiệu
IRF2807 là dòng Mosfet kênh N (N-Channel) công suất lớn được thiết kế dựa trên công nghệ HEXFET® tiên tiến, mang lại nội trở cực thấp trên mỗi diện tích silicon. Với khả năng chịu dòng điện liên tục lên đến 82A và điện áp 75V, linh kiện này là sự lựa chọn lý tưởng cho các ứng dụng yêu cầu hiệu suất cao, chuyển mạch nhanh và độ bền bỉ trong môi trường làm việc khắc nghiệt. Gói vỏ TO-220 tiêu chuẩn giúp linh kiện dễ dàng lắp đặt và tản nhiệt hiệu quả trên các bo mạch công suất.
Đặc điểm nổi bật
- Khả năng chịu dòng tải cực lớn: Với dòng ID tối đa lên tới 82A, IRF2807 có thể xử lý các mức công suất nặng trong các bộ kích điện (Inverter), máy sạc ắc quy và hệ thống lưu trữ năng lượng.
- Nội trở (Rds-on) siêu thấp: Chỉ số nội trở cực thấp giúp giảm thiểu tổn hao năng lượng dưới dạng nhiệt, nâng cao hiệu suất làm việc tổng thể và giảm kích thước tản nhiệt cần thiết.
- Tốc độ chuyển mạch siêu nhanh: Đặc tính đóng cắt linh hoạt giúp linh kiện đáp ứng tốt các mạch băm xung (PWM) tần số cao, mang lại độ chính xác trong điều khiển động cơ và bộ chuyển đổi DC-DC.
- Khả năng chịu đựng xung áp mạnh mẽ: Đạt tiêu chuẩn về độ bền khi gặp các xung áp đột ngột (Fully Avalanche Rated), bảo vệ an toàn cho hệ thống trước các biến cố điện lưới hoặc tải cảm.
- Ứng dụng phổ biến: Được tin dùng rộng rãi trong các mạch kích cá, bộ kích điện 12V-220V, điều tốc động cơ DC công suất lớn và các hệ thống UPS.


TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
Điện trở vạch 2W 240K 5% (10c)
2SK996 K996 TO220F N Mosfet 4A 600V
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
2SK2638 K2638 TO220F 10A 450V
K2225 2SK2225 N-Mosfet 2A 1500V TO-3P
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
K3148 2SK3148 TO220F N Mosfet
K3326 2SK3326 TO-220F 10A 500V
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
Điện trở vạch 1W 1K6 5% (10c)
FSBB30CH60D Module công suất IPM 30A 600V
Điện trở vạch 2W 4M7 5% (10c)
K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.