HY3210 là MOSFET kênh N công suất cao, có khả năng chịu dòng lên tới 120A và điện áp 100V, được thiết kế cho các ứng dụng đòi hỏi hiệu suất chuyển mạch nhanh và tổn hao thấp. Linh kiện này thường được sử dụng trong mạch nguồn xung, điều khiển động cơ DC, biến tần, và các hệ thống công suất cao.
HY3210 3210 120A 100V mosfet kênh N TO263
15.000 ₫
Mã sản phẩm: HY3210
Loại linh kiện: MOSFET kênh N
Kiểu chân: TO-263
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng
Từ khóa chính


K3155 2SK3155 TO220F N Mosfet 15A 150V
74VHC373FT 74HC373D 74HC373F TSSOP
K3177 2SK3177 TO220F N Mosfet 15A 200V
2SK3264-01MR 2SK3264 K3264 TO220F N MOSFET 7A 800V
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
PM20CSJ060 Module IGBT 20A 600V Mitsubishi
TNY278GN IC nguồn xung SOP-7
K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
L217 LTV217 ACPL217 HCPL217 SOP4 photo opto
2SK996 K996 TO220F N Mosfet 4A 600V
TNY290PG IC nguồn xung DIP-7
74HC00PW (74VHC00) TSSOP14
K3115 2SK3115 TO220F N Mosfet 6A 600V
74HCT157DR 74HC157 SOP16-3.9mm
2SK3235 K3235 TO3P N MOSFET 15A 500V
TOP243YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
2SK2417 K2417 TO220F N Mosfet 8A 250V
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
TNY274PN IC nguồn xung DIP-7
K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V
2SK3108 K3108 TO220F N Mosfet
2SK2275 TO220F N Mosfet 3.5A 900V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.