HY3210 là MOSFET kênh N công suất cao, có khả năng chịu dòng lên tới 120A và điện áp 100V, được thiết kế cho các ứng dụng đòi hỏi hiệu suất chuyển mạch nhanh và tổn hao thấp. Linh kiện này thường được sử dụng trong mạch nguồn xung, điều khiển động cơ DC, biến tần, và các hệ thống công suất cao.
HY3210 3210 120A 100V mosfet kênh N TO263
15.000 ₫
Mã sản phẩm: HY3210
Loại linh kiện: MOSFET kênh N
Kiểu chân: TO-263
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng
Từ khóa chính


Mosfet IRFR4620 FR4620 24A 200V
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
K3004 2SK3004 TO220F 18A 250V
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
PSS30S92F6-AG Module công suất IGBT Mitsubishi 1200V 30A
FSBS15CH60 IGBT 15A 600V
K851 2SK851 TO-3P 30A 200V
IKCM15L60GD Module công suất IPM
K2996 2SK2996 TO220F 10A 600V
Điện trở vạch 2W 300K 5% (10c)
TNY264PN IC nguồn xung SOP-7
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
K2917 2SK2917 TO-3P 18A 500V
2SK2462 K2462 TO220F N Mosfet 15A 100V
K2507 2SK2507 TO220F 25A 40V
IKCM30F60GA IC công suất IPM 30A 600V
Điện trở vạch 1/2W 1K8 5% (10c)
Điện trở vạch 1/4W 1K 5% (10c)
2SK2417 K2417 TO220F 8A 250V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.