HY3210 là MOSFET kênh N công suất cao, có khả năng chịu dòng lên tới 120A và điện áp 100V, được thiết kế cho các ứng dụng đòi hỏi hiệu suất chuyển mạch nhanh và tổn hao thấp. Linh kiện này thường được sử dụng trong mạch nguồn xung, điều khiển động cơ DC, biến tần, và các hệ thống công suất cao.
HY3210 3210 120A 100V mosfet kênh N TO263
15.000 ₫
Mã sản phẩm: HY3210
Loại linh kiện: MOSFET kênh N
Kiểu chân: TO-263
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng
Từ khóa chính


Mosfet IRFR4620 FR4620 24A 200V
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
K3004 2SK3004 TO220F 18A 250V
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
PSS30S92F6-AG Module công suất IGBT Mitsubishi 1200V 30A
FSBS15CH60 IGBT 15A 600V
K851 2SK851 TO-3P 30A 200V
IKCM15L60GD Module công suất IPM
K2996 2SK2996 TO220F 10A 600V
K2225 2SK2225 N-Mosfet 2A 1500V TO-3P
K3067 2SK3067 TO-220F 2A 600V
PSS15S92F6-AG IGBT 15A 600V
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.