HY3210 là MOSFET kênh N công suất cao, có khả năng chịu dòng lên tới 120A và điện áp 100V, được thiết kế cho các ứng dụng đòi hỏi hiệu suất chuyển mạch nhanh và tổn hao thấp. Linh kiện này thường được sử dụng trong mạch nguồn xung, điều khiển động cơ DC, biến tần, và các hệ thống công suất cao.
HY3210 3210 120A 100V mosfet kênh N TO263
15.000 ₫
Mã sản phẩm: HY3210
Loại linh kiện: MOSFET kênh N
Kiểu chân: TO-263
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng
Từ khóa chính


TNY264GN IC nguồn xung DIP-7
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
K3004 2SK3004 TO220F N Mosfet 250V
TNY265PN IC nguồn xung DIP-7
K2225 2SK2225 N-Mosfet 2A 1500V TO-3P
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
74VHC373FT 74HC373D 74HC373F TSSOP
TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
LM393 IC Khuếch đại thuật toán SOP-8
74HC4053A TSSop16
K2507 2SK2507 TO220F N Mosfet 25A 40v
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V
2SK2275 TO220F N Mosfet 3.5A 900V
TNY284PG IC nguồn xung DIP-7
2SK996 K996 TO220F N Mosfet 4A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.