FQA38N30, 38N30 38.4A 300V TO-3P

Giới thiệu

FQA38N30 (38N30) là dòng Mosfet kênh N (N-Channel) công suất lớn được sản xuất dựa trên công nghệ màng phẳng (planar stripe) tiên tiến. Với khả năng chịu dòng điện liên tục lên đến 38.4A và điện áp đánh thủng 300V, linh kiện này được thiết kế tối ưu cho các ứng dụng yêu cầu hiệu suất cao, chuyển mạch nhanh và độ tin cậy tuyệt đối. Gói vỏ TO-3P (TO-247) giúp tăng diện tích tiếp xúc nhiệt, cực kỳ phù hợp cho các bộ khuếch đại âm thanh chuyên nghiệp, bộ chuyển đổi nguồn DC-DC và các bộ điều khiển động cơ công suất lớn.

Đặc điểm nổi bật

• Khả năng chịu tải cực cao: Với dòng ID lên tới 38.4A và điện áp 300V, FQA38N30 dễ dàng xử lý các mức tải nặng trong hệ thống điện tử công suất mà không gây quá tải cho linh kiện.
• Công nghệ QFET® độc quyền: Giúp giảm thiểu tối đa nội trở (Rds-on) và điện tích cổng (Qg), từ đó nâng cao hiệu suất chuyển đổi năng lượng và giảm tổn hao do nhiệt.
• Khả năng chống xung (Avalanche) mạnh mẽ: Được thiết kế để chịu đựng các xung áp đột ngột trong quá trình đóng cắt, bảo vệ mạch điện an toàn trước các hiện tượng nhiễu điện áp cao.
• Gói vỏ TO-3P tản nhiệt tối ưu: Kích thước vỏ lớn giúp việc lắp đặt tản nhiệt dễ dàng và hiệu quả hơn, đảm bảo Mosfet hoạt động mát mẻ ngay cả khi làm việc liên tục ở công suất đỉnh.
• Tốc độ chuyển mạch siêu nhanh: Đặc tính này rất quan trọng trong các bộ nguồn xung (SMPS), giúp giảm thiểu nhiễu điện từ và tăng tần số hoạt động của hệ thống.