Giới thiệu
FDA24N50F là MOSFET kênh N công suất cao, chịu điện áp 500V và dòng tối đa 24A, được sử dụng phổ biến trong nguồn xung SMPS, inverter, mạch công suất, bộ điều khiển động cơ và các thiết bị công nghiệp. Với vỏ TO-3P, linh kiện có khả năng tản nhiệt vượt trội, cho phép hoạt động ổn định ở dòng tải lớn và môi trường yêu cầu độ bền cao.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu điện áp cao 500V, dòng tối đa 24A.
-
R<sub>DS(on)</sub> thấp, giảm tổn hao và nâng cao hiệu suất cho mạch công suất.
-
Thiết kế tối ưu cho inverter, nguồn xung, UPS, điều khiển động cơ.
-
Vỏ TO-3P tản nhiệt tốt, phù hợp tải nặng và môi trường công nghiệp.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao, thay thế được các MOSFET 24A–500V cùng chuẩn.


K851 2SK851 TO3P Mosfet
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
TNY275PN IC nguồn xung DIP-7
4N26, PC4N26S Opto DIP-8
TOP245YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
PS21564-P PS21564 Module IPM Mitsubishi 15A 600V
TPD4124K
Thiếc hàn XLT 99,3% 0.8mm/50g
K3155 2SK3155 TO220F N Mosfet 15A 150V
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
TNY266PN IC nguồn xung DIP-7 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.