Giới thiệu
FDA24N50F là MOSFET kênh N công suất cao, chịu điện áp 500V và dòng tối đa 24A, được sử dụng phổ biến trong nguồn xung SMPS, inverter, mạch công suất, bộ điều khiển động cơ và các thiết bị công nghiệp. Với vỏ TO-3P, linh kiện có khả năng tản nhiệt vượt trội, cho phép hoạt động ổn định ở dòng tải lớn và môi trường yêu cầu độ bền cao.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu điện áp cao 500V, dòng tối đa 24A.
-
R<sub>DS(on)</sub> thấp, giảm tổn hao và nâng cao hiệu suất cho mạch công suất.
-
Thiết kế tối ưu cho inverter, nguồn xung, UPS, điều khiển động cơ.
-
Vỏ TO-3P tản nhiệt tốt, phù hợp tải nặng và môi trường công nghiệp.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao, thay thế được các MOSFET 24A–500V cùng chuẩn.


TNY287PG IC nguồn xung DIP-7
74HC595P 74LV595 74VHC595FT TSSop16-4.4mm
K3067 2SK3067 TO220F
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
74HC367A, 74HC367 74HC367D SOP16-3.9mm
K513 2SK513 TO220 N Mosfet 3A 800V
K2507 2SK2507 TO220F N Mosfet 25A 40v
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
TNY265PN IC nguồn xung DIP-7
74HC164D SOP14-5.2
HCNR201 Optocoupler AVAGO SOP-8
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.