Giới thiệu
FDA24N50F là MOSFET kênh N công suất cao, chịu điện áp 500V và dòng tối đa 24A, được sử dụng phổ biến trong nguồn xung SMPS, inverter, mạch công suất, bộ điều khiển động cơ và các thiết bị công nghiệp. Với vỏ TO-3P, linh kiện có khả năng tản nhiệt vượt trội, cho phép hoạt động ổn định ở dòng tải lớn và môi trường yêu cầu độ bền cao.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu điện áp cao 500V, dòng tối đa 24A.
-
R<sub>DS(on)</sub> thấp, giảm tổn hao và nâng cao hiệu suất cho mạch công suất.
-
Thiết kế tối ưu cho inverter, nguồn xung, UPS, điều khiển động cơ.
-
Vỏ TO-3P tản nhiệt tốt, phù hợp tải nặng và môi trường công nghiệp.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao, thay thế được các MOSFET 24A–500V cùng chuẩn.


TNY264GN IC nguồn xung DIP-7
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
K3004 2SK3004 TO220F N Mosfet 250V
TNY265PN IC nguồn xung DIP-7
K2225 2SK2225 N-Mosfet 2A 1500V TO-3P
TNY286PG IC nguồn xung DIP-7
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
74VHC373FT 74HC373D 74HC373F TSSOP
TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
LM393 IC Khuếch đại thuật toán SOP-8
74HC4053A TSSop16
K2507 2SK2507 TO220F N Mosfet 25A 40v
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V
K2952 2SK2952 TO220F N Mosfet 8.5A 400V
K513 2SK513 TO220 N Mosfet 3A 800V
2SK3108 K3108 TO220F N Mosfet
74VHC86FT 74HC86PW TTSSOP14
K3148 2SK3148 TO220F N Mosfet
2SK3235 K3235 TO3P N MOSFET 15A 500V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.