Giới thiệu
FDA24N50F là MOSFET kênh N công suất cao, chịu điện áp 500V và dòng tối đa 24A, được sử dụng phổ biến trong nguồn xung SMPS, inverter, mạch công suất, bộ điều khiển động cơ và các thiết bị công nghiệp. Với vỏ TO-3P, linh kiện có khả năng tản nhiệt vượt trội, cho phép hoạt động ổn định ở dòng tải lớn và môi trường yêu cầu độ bền cao.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu điện áp cao 500V, dòng tối đa 24A.
-
R<sub>DS(on)</sub> thấp, giảm tổn hao và nâng cao hiệu suất cho mạch công suất.
-
Thiết kế tối ưu cho inverter, nguồn xung, UPS, điều khiển động cơ.
-
Vỏ TO-3P tản nhiệt tốt, phù hợp tải nặng và môi trường công nghiệp.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao, thay thế được các MOSFET 24A–500V cùng chuẩn.


K3067 2SK3067 TO220F
K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V
2SK2462 K2462 TO220F N Mosfet 15A 100V
TNY275PN IC nguồn xung DIP-7
2SK3108 K3108 TO220F N Mosfet
74HC00PW (74VHC00) TSSOP14
TOP245YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
74VHC86FT 74HC86PW TTSSOP14
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
74HC14 74LV14APWR TSSop14-4.4
TOP244YN IC nguồn xung hãng SI TO220
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
K2996 2SK2996 TO220F N Mosfet 10A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.