Giới thiệu
CRJQ74N60G2F là dòng MOSFET công suất cao sử dụng công nghệ Super Junction thế hệ mới, được đóng gói trong vỏ TO-247 truyền thống. Với khả năng chịu dòng liên tục lên đến 45A và điện áp đánh thủng 600V, linh kiện này được thiết kế để tối ưu hóa hiệu suất chuyển đổi năng lượng trong các hệ thống đòi hỏi mật độ công suất lớn. Đây là lựa chọn hàng đầu cho các mạch PFC (tăng áp nguồn), bộ nguồn máy tính công suất cao, trạm sạc xe điện và các bộ nghịch lưu năng lượng mặt trời.
Đặc điểm nổi bật
- Công nghệ Super Junction tiên tiến: Giúp giảm đáng kể điện trở dẫn trạng thái (Rds-on) và điện tích cổng (Qg), từ đó giảm thiểu tổn hao công suất trong quá trình đóng cắt nhanh.
- Khả năng chịu dòng mạnh mẽ (45A): Cho phép linh kiện vận hành ổn định trong các bộ nguồn công suất lớn mà không cần sử dụng quá nhiều linh kiện song song.
- Điện áp 600V an toàn: Cung cấp biên độ điện áp đủ rộng để hoạt động tin cậy trong các lưới điện 220V AC sau khi chỉnh lưu, chống lại các xung điện áp tức thời.
- Tốc độ chuyển mạch siêu nhanh: Đặc tính động học tối ưu giúp giảm tổn hao đóng cắt (Switching loss), phù hợp cho các cấu trúc nguồn xung (SMPS) tần số cao.
- Đóng gói TO-247 tiêu chuẩn: Diện tích bề mặt tiếp xúc tản nhiệt lớn, cho phép kết nối chắc chắn với cánh tản nhiệt nhôm để duy trì nhiệt độ làm việc lý tưởng dưới tải nặng.


211EH AQY211EH SOP-4
PS2501-4 DIP-16
C339G, UPC339, UPC339G SOP-14 3.9mm
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
74VHC86FT 74HC86PW TTSSOP14
K2991, 2SK2991 5A 500V TO-263
NE556N, NE556 IC Timer kép hãng Texas DIP-14
IRF6643 IR6643Mosfet 6.2A 150V Dùng cho hộp máy bọ & lập trình Dahao
Điện trở vạch - Điện trở cắm 2W43R (10c)
74HC14D SOP-14 3.9
4N27 Opto DIP-6
K513 2SK513 TO-220 3A 800V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.