Giới thiệu
8N60 (FQPF8N60C) là MOSFET kênh N công suất cao, có khả năng chịu điện áp 600V và dòng dẫn tối đa 8A, phù hợp cho các ứng dụng nguồn xung (SMPS), inverter, bộ khuếch đại công suất, mạch điều khiển động cơ và các thiết bị điện tử công suất trung bình – cao. Dạng TO-220F cách ly hoàn toàn giúp tản nhiệt tốt, dễ lắp đặt và an toàn trong môi trường công suất.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu áp cao 600V, dòng lớn 8A.
-
Điện trở R<sub>DS(on)</sub> thấp, giúp giảm tổn hao và tăng hiệu suất.
-
Công nghệ tối ưu cho mạch nguồn xung, tải cảm, điều khiển động cơ.
-
Vỏ TO-220F cách ly, an toàn hơn khi gắn tản nhiệt.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao.
-
Thay thế tương đương cho nhiều loại MOSFET 8A–600V khác.


K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
K2507 2SK2507 TO220F N Mosfet 25A 40v
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
4N26, PC4N26S Opto DIP-8
2SK3235 K3235 TO3P N MOSFET 15A 500V
2SK2462 K2462 TO220F N Mosfet 15A 100V
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
TNY266PN IC nguồn xung DIP-7
K3115 2SK3115 TO220F N Mosfet 6A 600V
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
2SK3151 K3151 TO3P N MOSFET 50A 100V High Speed Power Switching 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.