Giới thiệu
8N60 (FQPF8N60C) là MOSFET kênh N công suất cao, có khả năng chịu điện áp 600V và dòng dẫn tối đa 8A, phù hợp cho các ứng dụng nguồn xung (SMPS), inverter, bộ khuếch đại công suất, mạch điều khiển động cơ và các thiết bị điện tử công suất trung bình – cao. Dạng TO-220F cách ly hoàn toàn giúp tản nhiệt tốt, dễ lắp đặt và an toàn trong môi trường công suất.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N chịu áp cao 600V, dòng lớn 8A.
-
Điện trở R<sub>DS(on)</sub> thấp, giúp giảm tổn hao và tăng hiệu suất.
-
Công nghệ tối ưu cho mạch nguồn xung, tải cảm, điều khiển động cơ.
-
Vỏ TO-220F cách ly, an toàn hơn khi gắn tản nhiệt.
-
Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao.
-
Thay thế tương đương cho nhiều loại MOSFET 8A–600V khác.


K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
K513 2SK513 TO220 N Mosfet 3A 800V
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V
K2225 2SK2225 N-Mosfet 2A 1500V TO-3P
TOP244YN IC nguồn xung hãng SI TO220
TNY267PN IC nguồn xung DIP-7
PM20CSJ060 Module IGBT 20A 600V Mitsubishi
PM30RSF060 Module IPM Mitsubishi 30A 600V
K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V
TNY285PG DIP-7 IC nguồn
PS21564-P PS21564 Module IPM Mitsubishi 15A 600V
2SK3108 K3108 TO220F N Mosfet
2SK2378 K2378 TO220F N Mosfet 13A 200V
Đĩa quang.Đĩa tạo xung 1000CPR dùng moto X,Y,Z,O máy may lập trình khổ to
K2507 2SK2507 TO220F N Mosfet 25A 40v
K2952 2SK2952 TO220F N Mosfet 8.5A 400V
TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
K851 2SK851 TO3P Mosfet
2SK2275 TO220F N Mosfet 3.5A 900V
74HC00PW (74VHC00) TSSOP14
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
TNY264GN IC nguồn xung DIP-7
K3067 2SK3067 TO220F
2SK2417 K2417 TO220F N Mosfet 8A 250V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.