Giới thiệu
2SK3550 (K3550) là dòng MOSFET kênh N công suất cao được thiết kế cho các ứng dụng yêu cầu khả năng chịu điện áp cực lớn trong gói TO-3P (TO-247) mạnh mẽ. Với điện áp đánh thủng lên đến 900V và dòng định mức 10A, linh kiện này là giải pháp hàng đầu cho các bộ nguồn xung (SMPS) công suất lớn, máy hàn điện tử, và các hệ thống điều khiển công nghiệp vận hành trong môi trường điện áp cao và khắc nghiệt.
Đặc điểm nổi bật
- Điện áp chịu đựng siêu cao (900V): Khả năng chịu áp VDS vượt trội giúp linh kiện hoạt động cực kỳ an toàn trong các mạch nâng áp, bộ biến tần và các thiết bị sử dụng nguồn điện AC dải rộng hoặc nguồn 3 pha.
- Gói TO-3P công suất lớn: Kích thước gói lớn hơn TO-220 giúp tăng diện tích tiếp xúc nhiệt, cho phép tản nhiệt nhanh chóng và hiệu quả hơn khi linh kiện làm việc ở tải nặng liên tục.
- Điện trở nội (Rds on) tối ưu: Được thiết kế để giảm thiểu tổn hao công suất dưới dạng nhiệt, giúp hệ thống đạt hiệu suất cao và tiết kiệm năng lượng đáng kể cho các thiết bị công nghiệp.
- Dòng điện 10A ổn định: Mức dòng 10A kết hợp với áp 900V tạo ra một linh kiện có khả năng xử lý công suất mạnh mẽ, phù hợp cho các mạch sạc xe điện, bộ nguồn máy chủ và thiết bị viễn thông.
- Độ bền và độ tin cậy cao: K3550 có đặc tính chịu đựng xung dòng điện (Avalanche) tốt, giúp bảo vệ linh kiện khỏi các sự cố đột biến điện áp trong quá trình đóng ngắt tải cảm.


TNY268PN IC nguồn xung DIP-7
K3177 2SK3177 TO-220F 15A 200V
2SK3264-01MR 2SK3264 K3264 TO220F N MOSFET 7A 800V
K3326 2SK3326 TO-220F 10A 500V
K2917 2SK2917 TO-3P 18A 500V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.