23N50E là MOSFET kênh N công suất cao, được thiết kế cho các ứng dụng nguồn xung (SMPS), biến tần, bộ nghịch lưu và mạch điều khiển công suất. Với khả năng chịu điện áp 500V và dòng dẫn 23A, linh kiện này cung cấp hiệu suất chuyển mạch nhanh, tổn hao thấp và độ tin cậy cao trong các hệ thống điện tử công nghiệp.
23N50E 23A 500V TO3P
25.000 ₫
Mã sản phẩm: 23N50E
Loại linh kiện: MOSFET kênh N công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng


TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
PM15CSJ060 Module Mitsubishi IPM 15A 600V
NE555P NE555 IC Tạo Xung Dao Động DIP-8
Biến áp 220V 5VA-12V kép,9 chân hàn PCB
PSS20S92F6-AG Module IGBT 20A 600V
TNY275PN IC nguồn xung DIP-7
2SK2417 K2417 TO220F N Mosfet 8A 250V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.