Giới thiệu
11N90E (hay 11N90) là MOSFET kênh N chịu áp siêu cao, chuyên dùng cho các ứng dụng nguồn công suất lớn. Với khả năng chịu điện áp lên đến 900V và dòng dẫn cao, MOSFET này thường được sử dụng trong các bộ nguồn xung công suất, mạch cao áp, driver tải lớn và các thiết bị công nghiệp. Phiên bản thân TO lớn (TO-220 / TO-3P tùy theo lô) giúp tản nhiệt mạnh, phù hợp cho môi trường công suất cao và làm việc liên tục.
Đặc điểm nổi bật
-
MOSFET kênh N 900V chịu áp siêu cao.
-
Dòng dẫn mạnh, thích hợp mạch nguồn công suất, mạch cao áp.
-
Điện trở R<sub>DS(on)</sub> thấp, hiệu suất cao, giảm tổn hao nhiệt.
-
Thân TO lớn giúp tản nhiệt cực tốt, ổn định khi tải nặng.
-
Hoạt động bền bỉ, độ tin cậy cao trong hệ thống công nghiệp.
-
Ứng dụng trong nguồn xung, bộ kích công suất, nguồn máy lọc nước RO, TV, monitor, ballast điện tử.


TNY279PN IC nguồn xung DIP-7
PM15CSJ060 Module Mitsubishi IPM 15A 600V
NE555P NE555 IC Tạo Xung Dao Động DIP-8
Biến áp 220V 5VA-12V kép,9 chân hàn PCB
PSS20S92F6-AG Module IGBT 20A 600V
TNY275PN IC nguồn xung DIP-7
STGIPS20K60 GIPS20K60 20K60 20A 600V
AT24C02 IC nhớ EEPROM SOP8
PM30CSJ060 Module IGBT Mitsubishi 30A-600V
TDA7294, TDA7294V IC Khuếch đại âm thanh 100V/100W
FSBB15CH60F Module công suất
TNY268PN IC nguồn xung DIP-7
STGIPS10K60A GIPS10K60A GIPS10K60 10A 600V
K3067 2SK3067 TO220F
NE556N, NE556 IC Timer kép hãng Texas DIP-14
A1015 2SA1015 Transistor PNP 0.15A 50V TO-92
Mũi hàn cong 900M-T-IS
Thạch anh dao động 16M chân dán SMD3225-4P 3.2*2.5mm
TNY267PN IC nguồn xung DIP-7
D2061 KTD2061 NPN Transistor 2A 180V
TNY264GN IC nguồn xung DIP-7
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
GBJ2008 Diod cầu chỉnh lưu 20A800V
MMBT2222A Transistor NPN 0.6A/40V SOT-23 (kí hiệu 1P)
Opto 211EH AQY211EH SOP-4
STK401-090 IC khuếch đại âm thanh AF Audio Amplifier 50W
TPD4135K
Thạch anh dao động 28.8M chân HC-49S(dip)
CD4051M CD4051 4051 IC số SOP-16
Nhíp kẹp hợp kim thép không gỉ lỗ cong nhon AAA-15
Thạch anh dao động 8M chân dán SMD3225-4P 3.2*2.5mm
K2391, 2SK2391 Mosfet Kênh-N 100V/20A TO-220
Thiếc hàn XLT 99,3% 0.6mm/50g
FSBB30CH60D Module công suất IPM
TNY274PN IC nguồn xung DIP-7
2SK3235 K3235 TO3P N MOSFET 15A 500V
74HCU04AF 74HC04AF SOP14-5.2
TNY278PN IC nguông xung DIP-7
GBU608 KBU608 Diode cầu 6A 800V
TNY274PN IC nguồn xung DIP-7
MX25L6406E MX25L6406EM2I-12G SOP8 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.