11N90C 11A 900V TO-3P

Giới thiệu sản phẩm

11N90C là dòng Transistor hiệu ứng trường (MOSFET) kênh N công suất cao, được thiết kế đặc biệt cho các ứng dụng đòi hỏi khả năng chịu điện áp cực cao và độ tin cậy tuyệt đối. Với thiết kế vỏ bọc TO-3P (hoặc TO-247) có diện tích tản nhiệt lớn, linh kiện này là giải pháp lý tưởng cho các bộ nguồn xung (SMPS) điện áp cao, mạch driver LED công nghiệp, bộ lưu điện (UPS) và các mạch công suất chuyển mạch tốc độ cao.

Đặc điểm nổi bật

• Khả năng chịu áp siêu cao (900V): Điện áp chịu đựng VDS lên đến 900V giúp MOSFET vận hành an toàn tuyệt đối trước các xung nhiễu điện áp cao và hiện tượng dội áp từ cuộn dây cảm ứng trong mạch nguồn.
• Dòng tải định mức 11A mạnh mẽ: Khả năng dẫn dòng liên tục 11A (và dòng xung đỉnh lên đến hàng chục Ampe) giúp linh kiện dễ dàng gánh các tải công suất lớn trong môi trường công nghiệp.
• Công nghệ màng tiên tiến (High Cell Density): Giúp tối ưu hóa điện trở nội khi dẫn RDS(on) thấp, giảm thiểu tổn hao năng lượng dưới dạng nhiệt và tăng hiệu suất chuyển đổi cho toàn bộ hệ thống nguồn.
• Tốc độ chuyển mạch cực nhanh: Khả năng đóng cắt tần số cao, giảm thiểu tổn hao công suất trong quá trình chuyển trạng thái, rất phù hợp cho các mạch điều chế độ rộng xung (PWM).
• Vỏ TO-3P tản nhiệt tối ưu: Kích thước vỏ lớn với lớp lưng kim loại phẳng giúp truyền nhiệt ra cánh tản nhiệt nhôm một cách nhanh chóng, đảm bảo linh kiện hoạt động mát mẻ và bền bỉ ở công suất tối đa.

Thông số kỹ thuật chính

• Loại Transistor: MOSFET Kênh N (N-Channel)
• Điện áp Cực máng – Cực nguồn tối đa (VDS): 900V
• Dòng điện Cực máng liên tục (ID): 11A (tại TC = 25°C)
• Điện áp Cực cổng – Cực nguồn (VGS): ±30V
• Kiểu vỏ đóng gói: TO-3P / TO-247
• Ứng dụng đặc trưng: Chuyển mạch tốc độ cao (Switching)