11N90 FQPF11N90 11A900V TO-220F

Giới thiệu sản phẩm

FQPF11N90 (thường gọi tắt là 11N90) là dòng Transistor hiệu ứng trường (MOSFET) kênh N điện áp cao, được sản xuất theo công nghệ QFET® tiên tiến của Fairchild/onsemi. Linh kiện này được thiết kế tối ưu để giảm thiểu điện trở nội khi dẫn và chịu được xung năng lượng lớn trong quá trình chuyển mạch. Với kiểu vỏ bọc nhựa cách điện hoàn toàn TO-220F, đây là lựa chọn hàng đầu cho các bộ nguồn xung (SMPS), mạch sửa hệ số công suất (PFC), mạch điều khiển đèn LED và các bộ biến đổi điện áp cao áp.

Đặc điểm nổi bật

• Khả năng chịu áp cao vượt trội (900V): Điện áp chịu đựng cực lớn giúp bảo vệ an toàn cho bo mạch trước các xung nhiễu dội ngược từ cuộn dây cảm ứng hoặc sự không ổn định của lưới điện.
• Dòng tải liên tục 11A: Đáp ứng tốt các nhu cầu đóng cắt tải công suất trung bình và lớn trong các hệ thống điện tử công nghiệp và dân dụng.
• Vỏ nhựa cách điện TO-220F (Full Pack): Phần lưng được bọc nhựa cách điện hoàn toàn, cho phép bạn bắt trực tiếp MOSFET vào cánh tản nhiệt nhôm mà không cần sử dụng thêm miếng lót mica hay vòng đệm cách điện, giúp đơn giản hóa quá trình lắp ráp và tăng độ an toàn.
• Công nghệ QFET® độc quyền: Giúp tối ưu hóa điện tích cổng (Gate Charge) thấp và giảm điện dung ký sinh, từ đó tăng tốc độ đóng ngắt, giảm tổn hao công suất dưới dạng nhiệt và nâng cao hiệu suất năng lượng.
• Độ bền cao: Đạt chứng nhận chịu được xung avalanche (quá áp đột ngột) 100%, đảm bảo hệ thống vận hành bền bỉ ngay cả trong điều kiện làm việc khắc nghiệt nhất.

Thông số kỹ thuật chính

• Mã sản phẩm: FQPF11N90 / 11N90
• Loại Transistor: MOSFET Kênh N (N-Channel)
• Điện áp Cực máng – Cực nguồn tối đa ($V_{DSS}$): 900V
• Dòng điện Cực máng liên tục ($I_D$): 11A (tại $T_C = 25^\circ C$) / 7A (tại $T_C = 100^\circ C$)
• Dòng điện Cực máng dạng xung ($I_{DM}$): 44A
• Điện trở nội khi dẫn tối đa ($R_{DS(on)}$): 1.1 Ohm (tại $V_{GS} = 10V$)
• Kiểu vỏ đóng gói: TO-220F (Vỏ nhựa cách điện)