Giới thiệu
STD10N60M2 (10N60M2 / 10N60) là transistor MOSFET kênh N công suất cao, chịu điện áp lên đến 600V và dòng điện 7.5A, được đóng gói theo chuẩn TO-252 (DPAK). Linh kiện được sử dụng phổ biến trong các bộ nguồn xung, mạch điều khiển, biến tần và thiết bị điện tử công nghiệp. Với khả năng đóng cắt nhanh, tổn hao thấp và độ ổn định cao, sản phẩm là lựa chọn phù hợp cho sửa chữa và thay thế bo mạch điện tử.
Đặc điểm nổi bật
- MOSFET kênh N STD10N60M2 (10N60).
- Điện áp chịu đựng tối đa 600V, dòng điện 7.5A.
- Đóng gói TO-252 (DPAK) nhỏ gọn.
- Đóng cắt nhanh, tổn hao công suất thấp.
- Hoạt động ổn định, độ tin cậy cao.
- Phù hợp cho nguồn xung, biến tần, bo mạch điều khiển và thiết bị điện tử công nghiệp.

Điện trở dán 0603 1R 1% (50c)
TOP244YN IC nguồn xung hãng SI TO220
Điện trở dán 0603 1R2 1% (50c)
TNY264PN IC nguồn xung DIP-7
Điện trở dán 3K6 1% 0603 (50c)
Bộ mã hóa/Đầu dò encode JUKI DDL8000A
Điện trở dán 1206 3R9 1% (50c)
Điện trở dán 1206 4M7 1% (50c)
Bộ mã hóa/Đầu dò encode JUKI DDL8100B
TOP261EN IC nguồn xung eSIP-7C
TNY268PN IC nguồn xung DIP-7
K1983 2SK1983 TO220 N MOSFET 3A 900V
TOP258YN IC nguồn xung TO-220
K2045 2SK2045 TO220F N Mosfet 5.5A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.