Giới thiệu về SDM30G60FB
SDM30G60FB là một module IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) với khả năng chịu dòng điện 15A và điện áp tối đa 600V. Module này được thiết kế để cung cấp khả năng chuyển mạch hiệu quả và tổn thất thấp trong các hệ thống điện tử công suất cao, thường được sử dụng trong các bộ biến tần, bộ nguồn công suất cao, và các hệ thống điều khiển động cơ.
Sơ đồ cấu tạo SDM15G60FB



FSBB30CH60D Module công suất IPM
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
TOP243YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
PS21564-P PS21564 Module IPM Mitsubishi 15A 600V
NCP1380BDR2G NCP1380B Sop8 IC nguồn
LNK606GG SOP-7 IC nguồn
TNY284PG IC nguồn xung DIP-7
TNY275PN IC nguồn xung DIP-7
Mosfet IRFR4620 FR4620 24A 200V
2SK4108 K4108 TO3P N Mosfet 20A 500V
OB5269CP 2269CP IC Nguồn SOP-8
LNK562DN LNK562D LNK562 562 SOP-7 IC nguồn
74HC574N SN74HC574N 8-bit DIP20
2SK2777 K2777 Mosfet 600V 6A TOP-263
HCNR201 Optocoupler AVAGO SOP-8
LM317M 0.5A 1.25V-37V TO-252
UC2845A UC2845AN UC2845N
PM30RSF060 Module IPM Mitsubishi 30A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.