DPM06T60CG1 là IGBT công suất (Insulated Gate Bipolar Transistor) hiệu suất cao, được tích hợp diode hồi tiếp, phù hợp cho các ứng dụng công suất vừa và nhỏ như nguồn xung, biến tần, điều khiển động cơ và bộ nghịch lưu. Với khả năng chịu điện áp lên đến 600V và dòng định mức 6A, linh kiện này đảm bảo độ ổn định, hiệu suất chuyển mạch nhanh và độ tin cậy cao trong môi trường công nghiệp.
DPM06T60CG1 IGBT công suất
190.000 ₫
Mã sản phẩm : DPM06T60CG1
Loại linh kiện: IGBT
Điện áp: 600V
Dòng điện: 6A
Hình thức :
Tình trạng : Còn hàng


ACS712-05B sop8 cảm biến dòng 5A
2SK3562 K3562 MOSFET Kênh N 6A 600V TO-220
LM2595T-5.0 TO-220-5 mới DIP-5
TNY274PN IC nguồn xung DIP-7
D25XB80 DIOD Cầu chỉnh lưu 800V 25A
74HC540AF SOP20 -5.2
MIP0222SY TO220 IC Nguồn
LM2596T-3.3 IC LM2596 nguồnTO-220
CD4017BPW CD4017BPWR TSSop-16
P115A
L7805CV L7805 7805 TO-220 IC Nguồn Ổn Áp 5V
PM10CSJ060 10A 600V module IPM
GBJ2008 Diod cầu chỉnh lưu 20A800V
2SK3108 K3108 TO220F N Mosfet
2SK3581 K3581 TO263 N Mosfet 16A 500V
2SK3004 K3004
LNK564DG LNK564D LNK564 564 Ic nguồn
LM2576T-12 IC nguồn TO-220
2VPPCB170 Bộ dao đồng nguồn Hoshing
K851 2SK851 TO3P Mosfet
74VHC08MTCX 74LV08APWR 74HC08 TSSOP14-4.4 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.