BIPN60015C là IGBT công suất (Insulated Gate Bipolar Transistor) hiệu suất cao, được thiết kế để hoạt động trong các mạch nghịch lưu, biến tần, bộ nguồn xung và điều khiển động cơ. Với điện áp chịu đựng tới 600V và dòng định mức 15A, linh kiện này đảm bảo khả năng chuyển mạch nhanh, tổn hao thấp và độ tin cậy cao.
BIPN60015C 15A/600V IGBT công suất
110.000 ₫
Mã sản phẩm: BIPN60015C
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-220F
Hình thức: Tân trang
Tình trạng: Còn hàng


Điện trở dán 0603 1R2 1% (50c)
mã hóa encode moto trục chính máy may JUKI DDL8000A
Điện Trở Dán 0603 4M7 1% (50c)
TNY290PG IC nguồn xung DIP-7
Điện trở dán 0603 3R 1% (50c)
Điện trở dán 0603 1R5 1% (50c)
211EH AQY211EH SOP-4
TNY277PN IC nguồn xung DIP-7
Điên trở dán 2512 0.22R R220 1W 5% (set10)
Điện trở dán 1206 3M3 1% (50c)
TNY285PG DIP-7 IC nguồn
IRS2092S
TOP250YN IC nguồn công suất 135W TO-220 (chính hãngP)
TOP247YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
2SK2136 K2136 TO220 N MOSFET 20A 200V 0.18R
TOP254YN IC nguồn xung TO-220
Đĩa quang. Đĩa quang phát xung 10117830 trục dài 18.72mm QIXING Lưới A
TNY265PN IC nguồn xung DIP-7
IKCM30F60GA IC công suất IPM 30A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.