50T65FD1 / 50T65FESC / MBQ50T65FESC là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor), được thiết kế cho các ứng dụng biến tần, bộ nghịch lưu, nguồn công nghiệp, điều khiển động cơ và bộ sạc công suất cao. Linh kiện này kết hợp giữa ưu điểm của MOSFET (tốc độ chuyển mạch nhanh) và transistor lưỡng cực (dòng lớn, điện áp cao), mang lại hiệu suất và độ tin cậy vượt trội.
50T65FD1 50T65FESC MBQ50T65FESC IGBT 50A 650V TO-3P
35.000 ₫
Mã sản phẩm: 50T65FD1 / 50T65FESC / MBQ50T65FESC
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng


K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
STGIPS20K60 GIPS20K60 20K60 20A 600V
Đĩa quang.Đĩa tạo xung 1000CPR dùng moto X,Y,Z,O máy may lập trình khổ to
2SK3108 K3108 TO220F N Mosfet
PM10CSJ060 10A 600V module IPM
mã hóa encode moto trục chính máy may JUKI DDL8100B
TNY267PN IC nguồn xung DIP-7
IKCM15L60GD Module công suất IPM
74HC123PW(74LV123PW) TSSOP16-4.4mm
PS21564-P PS21564 Module IPM Mitsubishi 15A 600V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.