Giới thiệu
93LC66B-I/SN là dòng IC nhớ EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory) có cấu trúc nối tiếp Microwire, được thiết kế bởi Microchip Technology. Với dung lượng 4Kbit và kiểu đóng gói SOP-8 (dán bề mặt), linh kiện này là giải pháp lưu trữ dữ liệu không bay hơi hoàn hảo cho các thiết bị yêu cầu lưu trữ thông số cấu hình, mã bảo mật hoặc dữ liệu hiệu chuẩn trong không gian bo mạch hạn chế.
Đặc điểm nổi bật
- Cấu trúc bộ nhớ 256 x 16-bit: Hậu tố “B” chỉ thị tổ chức bộ nhớ theo đơn vị 16-bit (Word), giúp tối ưu hóa việc đọc và ghi dữ liệu theo khối lớn một cách nhanh chóng.
- Điện áp hoạt động thấp: Hoạt động ổn định trong dải điện áp từ 2.5V đến 5.5V, tương thích tốt với cả hệ thống vi điều khiển 3.3V và 5V mà không cần bộ chuyển đổi mức điện áp.
- Độ bền dữ liệu cực cao: Khả năng ghi/xóa lên đến 1,000,000 lần và thời gian lưu trữ dữ liệu (Retention) vượt quá 200 năm, đảm bảo an toàn tuyệt đối cho thông tin quan trọng.
- Giao thức Microwire 3 dây: Sử dụng chuẩn giao tiếp đơn giản (CS, CLK, DI/DO) giúp tiết kiệm chân IO của vi điều khiển và đơn giản hóa việc lập trình phần mềm.
- Dải nhiệt độ công nghiệp: Ký hiệu “-I” xác nhận khả năng vận hành bền bỉ trong môi trường công nghiệp khắc nghiệt từ -40°C đến +85°C.
- Thiết kế SOP-8 nhỏ gọn: Kiểu chân dán bề mặt (SMD) giúp tối ưu diện tích PCB, phù hợp cho các thiết bị điện tử cầm tay, đồng hồ thông minh và các mô-đun điều khiển xe hơi.


HFA15PB60 Diode Nhanh 15A 600V TO-247
24C64N, AT24C64BN SOP-8
MUR1560G RHRP1560 T0-220-2 15A 600V Điốt phục hồi
F20L60U SF20L60U 20A 600v TO220
STPS1045 S1045 TO-252 Diode nguồn Schottky 10A 45V ...
F8L60 SF8L60USM TO220F Diode Phục hồi nhanh mới
Diode Schottky BAT54A kí hiệu KL2 SOT-23 200mA 30V
GBU410 Diode cầu 4A 1000V
GBU406 Diode cầu 4A 600V
GBU610 KBU610 Diode cầu 6A 1000V
AT24C512A FT24C512A 24C512, IC EEPROM SOP-8 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.