Giới thiệu về IC 25Q32BVSIG
W25Q32BV (8M-bit) là bộ nhớ Flash tuần tự cung cấp giải pháp lưu trữ cho các hệ thống có không gian, chân cắm và nguồn điện hạn chế. Dòng 25Q cung cấp tính linh hoạt và hiệu suất vượt xa các thiết bị Flash tuần tự thông thường. Chúng lý tưởng để che mã vào RAM, thực thi mã trực tiếp từ Dual/Quad SPI (XIP) và lưu trữ giọng nói, văn bản và dữ liệu. Thiết bị hoạt động trên một nguồn điện 2,7V đến 3,6V duy nhất với mức tiêu thụ dòng điện thấp tới 4mA khi hoạt động và 1μA khi tắt nguồn. Mảng W25Q32BV được tổ chức thành 4.096 trang có thể lập trình, mỗi trang có 256 byte. Có thể lập trình tối đa 256 byte cùng một lúc.
W25Q32BV hỗ trợ Giao diện ngoại vi nối tiếp (SPI) chuẩn và đầu ra Dual/Quad hiệu suất cao cũng như SPI I/O Dual/Quad: Đồng hồ nối tiếp, Chọn chip, I/O dữ liệu nối tiếp (DI), I/O1 (DO), I/O2 (/WP) và I/O3 (/HOLD).


K3067 2SK3067 TO220F
K2917 2SK2917 N Mosfet 18A 500V
2SK2462 K2462 TO220F N Mosfet 15A 100V
TNY275PN IC nguồn xung DIP-7
2SK3108 K3108 TO220F N Mosfet
74HC00PW (74VHC00) TSSOP14
TOP245YN IC nguồn xung hãng SI TO220 chữ trắng
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
74VHC86FT 74HC86PW TTSSOP14
TNY280PN IC nguồn xung DIP-7
74HC14 74LV14APWR TSSop14-4.4
TOP244YN IC nguồn xung hãng SI TO220
K3326 2SK3326 TO220F N Mosfet 10A 500V
25Q16JVSIQ W25Q16JVSSIQ IC nhớ 16M-BIT SOP-8
2SK2417 K2417 TO220F N Mosfet 8A 250V
TNY287PG IC nguồn xung DIP-7
25Q80BVSIG W25Q80BVSIG Winbond IC nhớ 8M-BIT SOP-8 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.