FGA25N120 là IGBT công suất cao (Insulated Gate Bipolar Transistor) do ON Semiconductor / Fairchild sản xuất. Linh kiện được thiết kế cho ứng dụng chuyển mạch tần số trung bình – cao, đặc biệt trong mạch inverter, nguồn công nghiệp, bộ điều khiển động cơ, UPS và hàn điện tử.
FGA25N120 IGBT 25A 1200V TO-3P
22.000 ₫
Mã sản phẩm: FGA25N120
Loại linh kiện: IGBT công suất
Kiểu chân: TO-3P
Hình thức: Mới
Tình trạng: Còn hàng.


TLP155E P155E SOP5 Photo opto
TNY264GN IC nguồn xung DIP-7
K2996 2SK2996 TO220F N Mosfet 10A 600V
TNY284PG IC nguồn xung DIP-7
K3067 2SK3067 TO220F
K3004 2SK3004 TO220F N Mosfet 250V
TNY278PN IC nguồn xung DIP-7
L217 LTV217 ACPL217 HCPL217 SOP4 photo opto
4D10S, PC4D10S Opto SOP-8
2SK2638 K2638 TO220F N MOS 10A 450V
2SK2378 K2378 TO220F N Mosfet 13A 200V
FAN7842 IC DRIVER SOP-8
2SK3151 K3151 TO3P N MOSFET 50A 100V High Speed Power Switching
2SK996 K996 TO220F N Mosfet 4A 600V
A337J ACPL-337J Opto SOP-16
TNY290PG IC nguồn xung DIP-7
2SK3235 K3235 TO3P N MOSFET 15A 500V
2SK2275 TO220F N Mosfet 3.5A 900V
MOC3020, MOC 3020 Opto DIP-6
TNY278GN IC nguồn xung SOP-7
2SK2462 K2462 TO220F N Mosfet 15A 100V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.