Giới thiệu
10N80 (Mã đầy đủ P10NK80ZFP) là dòng MOSFET công suất kênh N (N-Channel) sử dụng công nghệ SuperMESH™ tiên tiến, được thiết kế để chịu được điện áp cực cao lên đến 800V và dòng tải 10A. Với kiểu đóng gói TO-220F (vỏ bọc nhựa cách điện toàn phần), linh kiện này cho phép lắp đặt trực tiếp lên tản nhiệt mà không cần thêm tấm lót cách điện, giúp tối ưu hóa quá trình sản xuất và nâng cao độ an toàn cho các bộ nguồn xung cao áp.
Đặc điểm nổi bật
- Chịu áp và dòng cực cao: Thông số 800V/10A giúp linh kiện hoạt động bền bỉ trong các mạch nguồn có điện áp đầu vào lớn hoặc các ứng dụng có điện áp phản hồi cao.
- Vỏ cách điện TO-220F: Thiết kế vỏ nhựa bao bọc hoàn toàn giúp cách ly điện giữa phần kim loại bên trong và cánh tản nhiệt, giảm thiểu rủi ro chập cháy và đơn giản hóa việc lắp ráp.
- Công nghệ SuperMESH™: Giảm thiểu điện trở thuần tại cổng (Gate charge) và điện trở bật (RDS(on)), giúp giảm tổn hao công suất và tăng hiệu suất tản nhiệt khi hoạt động ở tần số cao.
- Tích hợp diod bảo vệ Zener: Cấu trúc tích hợp bảo vệ giúp linh kiện chống lại các xung điện áp (ESD) và các biến động bất thường, nâng cao tuổi thọ cho hệ thống.
- Khả năng đóng cắt nhanh: Tốc độ chuyển mạch cực nhanh giúp MOSFET này là lựa chọn số 1 cho các mạch nguồn Switching yêu cầu hiệu suất chuyển đổi năng lượng cao.
- Ứng dụng chuyên dụng: Chuyên dùng trong các bộ nguồn TV LED/LCD, bộ sạc công suất lớn, chấn lưu điện tử, mạch điều khiển động cơ và các thiết bị viễn thông.


K2917 2SK2917 TO-3P 18A 500V 
Đánh giá
Chưa có đánh giá nào.