TNY287PG DIP-7

Đặc trưng TNY287PG

• MOSFET định mức 725 V
• Tăng biên độ giảm xếp hạng BV
• Công suất quá tải được bù dòng – không có thành phần bổ sung
• Giảm đáng kể sự thay đổi quá tải tối đa so với phổ thông dải điện áp đầu vào
• ±5% bật ngưỡng UV: cảm nhận điện áp đường dây với một điện trở bên ngoài
• Điều khiển BẬT/TẮT đơn giản, không cần bù vòng lặp
• Có thể lựa chọn giới hạn dòng điện thông qua giá trị tụ BP/M
• Giới hạn dòng điện cao hơn sẽ mở rộng công suất đỉnh hoặc ở khung mở ứng dụng, công suất liên tục tối đa
• Giới hạn dòng điện thấp hơn giúp cải thiện hiệu suất trong các thiết bị kèm theo bộ chuyển đổi/bộ sạc
• Cho phép lựa chọn TinySwitch-4 tối ưu bằng cách hoán đổi thiết bị không có thiết kế lại mạch khác
• Chặt I2 Dung sai tham số f giúp giảm chi phí hệ thống
• Tối đa hóa việc sử dụng MOSFET và từ tính
• Mở rộng thời gian BẬT – mở rộng phạm vi điều chỉnh đường dây thấp/thời gian giữ thời gian để giảm điện dung số lượng lớn đầu vào
• Tự phân cực: không có cuộn dây phân cực hoặc các thành phần phân cực
• Biến động tần số làm giảm chi phí bộ lọc EMI
• Pin-out đơn giản hóa việc tản nhiệt vào PCB