DO665C5 IDH06G65C5 6A 650V

Giới thiệu

DO665C5 (IDH06G65C5) là diode SiC Schottky công suất cao với dòng điện định mức 6A và điện áp chịu đựng lên đến 650V. Sử dụng công nghệ Silicon Carbide (SiC), linh kiện có sụt áp thuận thấp, gần như không có dòng phục hồi ngược (Zero Reverse Recovery), giúp giảm tổn hao chuyển mạch và nâng cao hiệu suất cho các bộ nguồn xung, PFC, biến tần và thiết bị điện tử công nghiệp.

Đặc điểm nổi bật

• Diode Schottky SiC DO665C5 (IDH06G65C5).
• Dòng điện định mức 6A, điện áp chịu đựng 650V.
• Công nghệ Silicon Carbide (SiC) hiệu suất cao.
• Không có hiện tượng phục hồi ngược, giảm tổn hao chuyển mạch.
• Khả năng chịu nhiệt tốt, hoạt động ổn định.
• Ứng dụng trong nguồn xung, mạch PFC, biến tần, bộ sạc và thiết bị điện tử công nghiệp.