TF9N90 9N90 MOSFET 9A 900V TO-220F

Giới thiệu sản phẩm

TF9N90 (thường gọi tắt là 9N90) là dòng linh kiện MOSFET công suất kênh N (N-Channel Enhancement Mode MOSFET) điện áp cao thế hệ mới, được đóng gói trong vỏ bọc nhựa cách điện TO-220F (Full-Pak). Với khả năng chịu đựng điện áp đánh thủng cực lớn lên đến 900V và dòng tải liên tục 9A, MOSFET này được tối ưu hóa với nội trở dẫn ($R_{DS(on)}$) thấp và mật độ tích tụ điện tích cổng tối thiểu. Trong cấu trúc bo mạch máy may công nghiệp và các thiết bị điện tử công suất, TF9N90 là linh kiện chuyên dụng nằm ở vị trí transistor đóng ngắt chính của khối nguồn xung (SMPS), mạch biến đổi điện áp cao áp, mạch bảo vệ quá tải, hoặc tầng kích cho các cuộn hút công suất lớn.

Đặc điểm nổi bật

• Khả năng chịu áp cao vượt trội (900V): Mức chịu áp cực lớn giúp linh kiện vận hành an toàn trước các xung điện áp dội ngược từ lưới điện hoặc xung cảm ứng từ cuộn dây biến áp, giảm thiểu tối đa rủi ro chập cháy tầng nguồn.
• Vỏ bọc cách điện TO-220F tiện lợi: Khác với kiểu vỏ TO-220 thông thường có lưng trần bằng kim loại, vỏ TO-220F được bọc nhựa hoàn toàn (Full-Pak). Đặc tính này cho phép kỹ thuật viên bắt trực tiếp MOSFET vào tấm nhôm tản nhiệt của hộp điện mà không cần lót tấm nhựa mica cách điện, chống nguy cơ rò điện ra vỏ máy vô cùng an toàn.
• Tốc độ chuyển mạch siêu nhanh: Điện tích cổng ($Q_g$) thấp giúp tối ưu hóa thời gian đóng ngắt, giảm hao tổn năng lượng dưới dạng nhiệt (tổn hao chuyển mạch), giúp bộ nguồn xung chạy mát hơn và đạt hiệu suất chuyển đổi cao.
• Độ bền cao trong môi trường khắc nghiệt: Linh kiện sở hữu khả năng chịu đựng xung dòng dòng cực đại (Avalanche) mạnh mẽ, bảo vệ mạch điện ổn định trước các pha trồi sụt dòng điện liên tục khi máy may công nghiệp khởi động hoặc phanh dừng motor đột ngột.

Thông số kỹ thuật chính

• Mã sản phẩm: TF9N90 / 9N90
• Phân loại linh kiện: MOSFET công suất kênh N (N-Channel MOSFET)
• Kiểu đóng gói: TO-220F (Vỏ nhựa cách điện toàn phần)
• Điện áp cực máng – cực nguồn tối đa ($V_{DSS}$): 900V
• Dòng điện cực máng liên tục tối đa ($I_D$): 9A (tại nhiệt độ vỏ $T_C = 25^\circ\text{C}$)
• Nội trở dẫn trạng thái mở ($R_{DS(on)}$): Thường < 1.4Ω (tại $V_{GS} = 10V$)
• Điện áp kích hoạt cực cổng tối đa ($V_{GS}$): $\pm 30V$
• Dải nhiệt độ hoạt động và lưu trữ ($T_j, T_{stg}$): $-55^\circ\text{C}$ đến $+150^\circ\text{C}$