HY1515 HY1515P 50A 150V TO-252

Giới thiệu sản phẩm

HY1515 (hoặc phiên bản mã đầy đủ HY1515P) là linh kiện MOSFET công suất kênh N (N-Channel Enhancement Mode MOSFET) hiệu suất cao, được thiết kế đóng gói trong vỏ chấu dán TO-252 (DPAK) nhỏ gọn. Với khả năng chịu dòng tải liên tục lên đến 50A và điện áp đánh thủng đạt 150V, MOSFET này sở hữu nội trở dẫn ($R_{DS(on)}$) cực thấp cùng tốc độ chuyển mạch siêu nhanh. Trong bo mạch máy may công nghiệp và thiết bị điện tử công suất, HY1515/HY1515P là linh kiện chuyên dụng thường nằm trong mạch cầu H đảo chiều motor, mạch driver điều khiển động cơ Servo, motor bước (Step motor), mạch đóng ngắt van điện từ (Solenoid) nâng chân vịt/cắt chỉ, hoặc tầng công suất của nguồn xung (SMPS).

Đặc điểm nổi bật

• Công nghệ trần hiện đại (Trench Technology): Giúp tối ưu hóa mật độ tế bào trên chip bán dẫn, mang lại điện tích cổng ($Q_g$) cực thấp và giảm thiểu tối đa tổn hao do chuyển mạch ở tần số cao.
• Nội trở dẫn siêu nhỏ ($R_{DS(on)}$): Giảm thiểu tổn hao năng lượng dưới dạng nhiệt trong quá trình linh kiện mở hoàn toàn, giúp bo mạch hoạt động mát hơn, nâng cao hiệu suất tổng thể và độ bền của hộp điện.
• Khả năng chịu dòng xung cực đại lớn: Đạt hệ số an toàn cao khi chịu dòng đỉnh (Avalanche Rated) phát ra từ các tải cảm như cuộn dây motor hoặc van nam châm điện từ của máy may, chống đánh thủng mạch cực tốt.
• Thiết kế chân dán TO-252 (DPAK) tối ưu: Kiểu vỏ dán bề mặt sở hữu phần lưng kim loại (Tab) tản nhiệt trực tiếp xuống lớp đồng của bo mạch, giúp tối ưu hóa không gian lắp đặt nhưng vẫn đảm bảo giải nhiệt hiệu quả cho linh kiện công suất.

Thông số kỹ thuật chính

• Mã sản phẩm: HY1515 / HY1515P
• Phân loại linh kiện: MOSFET kênh N công suất (N-Channel MOSFET)
• Kiểu đóng gói: TO-252 / DPAK (Chân dán bề mặt tản nhiệt lưng)
• Điện áp cực máng – cực nguồn tối đa ($V_{DSS}$): 150V
• Dòng điện cực máng liên tục tối đa ($I_D$): 50A (tại nhiệt độ vỏ $T_C = 25^\circ\text{C}$)
• Nội trở dẫn trạng thái mở ($R_{DS(on)}$): Thường < 28mΩ (tại $V_{GS} = 10V$)
• Điện áp kích hoạt cực cổng ($V_{GS}$): $\pm 25V$
• Dải nhiệt độ hoạt động và lưu trữ ($T_j, T_{stg}$): $-55^\circ\text{C}$ đến $+175^\circ\text{C}$